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Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

發(fā)布時間：2025-02-14 09:18:42 瀏覽：172

Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

　　Infineon IRGB15B60KD是一款絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與超快軟恢復(fù)二極管的組合器件。

　　基本特性

　　低導(dǎo)通電壓：采用低 VCE(on) 的非穿透型 IGBT 技術(shù)。

　　低二極管正向壓降：二極管的正向壓降較低，有助于降低功耗。

　　10μs 短路能力：能夠在 10 微秒內(nèi)承受短路，具有較強的過載能力。

　　正溫度系數(shù)：VCE(on) 隨溫度升高而增大，有助于并聯(lián)工作時的電流分配。

　　超軟恢復(fù)特性：二極管的反向恢復(fù)特性非常柔和，有助于降低電磁干擾(EMI)。

　　主要參數(shù)

　　集電極 - 發(fā)射極電壓：600V。

　　連續(xù)集電極電流：25°C 時為 31A，100°C 時為 15A。

　　脈沖集電極電流：62A。

　　二極管連續(xù)正向電流：25°C 時為 31A，100°C 時為 15A。

　　最大柵極 - 發(fā)射極電壓：±20V。

　　最大功耗：25°C 時為 208W，100°C 時為 83W。

　　熱阻抗

　　結(jié) - 外殼熱阻抗：IGBT 為 0.6°C/W，二極管為 2.1°C/W。

　　外殼 - 散熱器熱阻抗：0.50°C/W。

　　結(jié) - 周圍環(huán)境熱阻抗：典型插件安裝為 62°C/W，PCB 安裝為 40°C/W。

　　電氣特性

　　集電極 - 發(fā)射極飽和電壓：在 15A、VGE=15V、TJ=25°C 時為 1.8V。

　　柵極閾值電壓：3.5V 至 5.5V。

　　總柵極電荷：56nC 至 84nC。

　　開關(guān)損耗：TJ=25°C 時，總開關(guān)損耗為 560μJ 至 785μJ;TJ=150°C 時，總開關(guān)損耗為 835μJ 至 1070μJ。

　　反向恢復(fù)特性

　　反向恢復(fù)能量：540μJ 至 720μJ。

　　反向恢復(fù)時間：92ns 至 111ns。

　　應(yīng)用場景

　　該器件適用于對效率和可靠性要求較高的電機(jī)控制應(yīng)用，能夠提供高功率密度和低電磁干擾的解決方案。

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