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Solitron SMF178 500V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-08-14 09:06:33 瀏覽：341

　　Solitron SMF178 是一款高性能的 500V n溝道功率MOSFET，專為需要高電壓和高電流處理能力的應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，提供了出色的電氣特性和可靠性，使其成為各種工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用中的理想選擇。

Solitron SMF178 500V N溝道功率MOSFET

　　主要特性

　　漏極電流(I_D)：23A。

　　導(dǎo)通電阻(R_DS(on))：260mΩ。

　　快恢復(fù)二極管：內(nèi)置的快恢復(fù)二極管提高了開關(guān)速度，減少了開關(guān)損耗。

　　雪崩額定：具備雪崩能力，增強(qiáng)了在極端電氣條件下的可靠性。

　　TO-254 密封封裝：堅(jiān)固的封裝設(shè)計。

　　背面隔離：提供額外的電氣隔離。

　　可用 JAN/TX, JAN/TXV 篩選：符合嚴(yán)格的篩選標(biāo)準(zhǔn)。

　　絕對最大額定值

　　漏-源電壓 (V_DS)：500V。

　　柵-源電壓 (V_GS)：±30V(脈沖)。

　　漏極電流(I_DS，連續(xù))：23A。

　　功率耗散(P_D)：280W。

　　工作結(jié)及儲存溫度范圍(T_J, T_STG)：-55°C~150°C。

　　電氣特性

　　漏-源擊穿電壓 (V(BR)DSS)：500V(典型。

　　柵極開啟電壓 (V_GS(th))：2 ~ 5V。

　　漏-源關(guān)態(tài)電流 (I_DSS)：最大100μA(V_DS=400V，V_GS=0V)，最大250μA(V_DS=400V，V_GS=0V，T_J=125°C。

　　柵-源漏電流 (I_GSS)：最大100nA。

　　全電荷(Q_g)：最大150nC。

　　時間特性：轉(zhuǎn)換時間非常短(開通時間t_on最大100ns, 關(guān)斷時間t_off最大250ns)。

　　熱阻(R_thJC)：最大0.445°C/W。

　　內(nèi)部二極管特性

　　二極管正向電壓 (V_SD)：最大1.8V (I_SD=23A, V_GS=0V)，確保低正向電壓降。

　　二極管反向恢復(fù)時間 (t_rr)：典型300ns，提高了二極管的恢復(fù)速度。

　　Solitron SMF178 500V n溝道功率MOSFET 是一款高性能的半導(dǎo)體器件，適用于各種需要高電壓和高電流處理能力的應(yīng)用。其出色的電氣特性、快速切換能力和可靠性使其成為工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的理想選擇。無論是用于電源管理、電機(jī)控制還是其他高功率應(yīng)用，SMF178 都能提供卓越的性能和穩(wěn)定性。

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